Številka izdelka proizvajalca:
SPB21N10 G
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
SPB21N10 G-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 21A TO263-3
Podroben opis:
N-Channel 100 V 21A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Zaloga:
12808471
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SPB21N10 G Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
SIPMOS®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
21A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
80mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 44µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
38.4 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
865 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
90W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO263-3-2
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
SPB21N
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
SP000102171
SPB21N10GXT
SPB21N10 G-DG
SPB21N10G
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
STB30NF10T4
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
971
ŠTEVILKA DELA
STB30NF10T4-DG
CENA ENOTE
0.66
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
IRF540SPBF
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
2846
ŠTEVILKA DELA
IRF540SPBF-DG
CENA ENOTE
0.90
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
CPC3730C
MOSFET N-CH 350V SOT89
CPC3701CTR
MOSFET N-CH 60V SOT89
TN2106N3-G
MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
